七个技巧！！！让你轻松改善麻城干式变压器线圈Q值

我们先来讲讲麻城麻城干式变压器品质因数Q的定义

Q值是衡量麻城麻城干式变压器器件的重点参数，是指麻城麻城干式变压器器在某个频率的交流电压下工作时,所展现的感抗与其等效损耗麻城干式变压器之比。麻城干式变压器器的Q值越高,其损耗越小,效率越高。

品质因数Q是反映线圈质量的重要参数，提高线圈的Q值，可以说是绕制线圈要注意的重点之一。

那么，该怎样提高绕制线圈的Q值呢，下面给大家介绍具体方法：

1、如何根据工作频率，选用线圈的导线

工作于低频段的麻城干式变压器线圈，一般采用漆包线等带绝缘的导线绕制。另当工作频率大于几万赫，从而低于2MHz的电路中，采用多股绝缘的导线绕制线圈，这样一来，则可以有效地增加导体的表面积，从而可以克服集肤效应的影响，使得Q值比相同截面积的单根导线绕制的线圈高30％－50％。

在频率高于2MHz的电路中，麻城干式变压器线圈应采用单根粗导线绕制，导线的直径一般为0.3mm－1.5mm。采用间绕的麻城干式变压器线圈，常用镀银铜线绕制，以增加导线表面的导电性。此时、不适合采用多股导线绕制，因为多股绝缘线在频率在过高的时候，线圈绝缘介质将引起额外的损耗，效果反而不如单根导线好。

2、选用优质的线圈骨架，减少介质损耗

在频率较高的场合，如短波波段，因为普通的线圈骨架，质损耗明显增加，因此，理应采用高频介质材料，比如高频瓷、聚四氟乙烯、聚苯乙烯等作为骨架，并使用间绕法绕制。

3、选择合理的线圈尺寸

当我们选用合理的线圈尺寸，能减少损耗外径一定的单层线圈（φ20mm-30mm），当绕组长度 L与外径 D的比值 L/D=0.7时，将其损耗降到最小；外径一定的多层线圈L/ D＝0.2－0.5，用t/D＝0.25－0.1时，损耗也会变到最小。绕组厚度t、绕组长度L和外径D之间满足3t＋2L＝D的情况下，损耗同为最小。采用屏蔽罩的线圈，其L／D＝0.8－1.2时更佳用法。

4、选定合理屏蔽罩的直径

用屏蔽罩，则会增加线圈的损耗，使Q值降低，因此屏蔽罩的尺寸不适合过小。然而屏蔽罩的尺寸过大，会增大体积，因而要选取合理屏蔽罩的直径尺寸。当屏蔽罩直径Ds与线圈直径 D之比满足如下数值即 Ds／D＝1.6－2.5时，Q值降低不大于10％。

5、采用磁芯可使线圈圈数明显减少

线圈中采用磁芯，不但减少了线圈的圈数，也减小线圈的麻城干式变压器值，更加有利于Q值的提高，而且缩小了线圈的体积。

6、线圈直径适当选大些

线圈直径适当选大些，有利于减小损耗、在必要的条件下，线圈直径选得大一些，体积增大一些，更加有利于减小线圈的损耗！一般接收机，单层线圈直径取12mm－30mm；多层线圈取6mm－13mm，但从体积考虑，也不宜超过20mm－25mm的范围。

7、减小绕制线圈的分布电容

尽量选用无骨架方式绕制线圈，或者绕制在凸筋式骨架上的线圈，能有效减小分布电容15％－20％；分段绕法能减小多层线圈的分布电容的1/3～l/2。对于多层线圈来讲，直径D越小，绕组长度L越小或绕组厚度t越大，则分布电容越小。应当指出的是：经过漫渍和封涂后的线圈，其分布电容即将增大20％－30％。

总之，绕制线圈，始终把提高Q值，降低损耗，作为考虑的重要元素。